GaN、GaP、GaAs的物理特性比较()以下哪个陈述是正确的
A.GaN的原子半径大于GaP的原子半径,而GaP的原子半径大于GaAs的原子半径
B.GaAs的键长比GaP的键长短,而GaP的键长比GaN的键长短
C.GaN的键能大于GaP的键能,而GaP的键能大于GaAs的键能
D.GaAs的键能大于GaN的键能,而GaN的键能大于GaP的键能
A.GaN的原子半径大于GaP的原子半径,而GaP的原子半径大于GaAs的原子半径
B.GaAs的键长比GaP的键长短,而GaP的键长比GaN的键长短
C.GaN的键能大于GaP的键能,而GaP的键能大于GaAs的键能
D.GaAs的键能大于GaN的键能,而GaN的键能大于GaP的键能
第3题
A.定义了两个端系统连接的电气和功能特性
B.提供了在物理链路上的无差错数据传输
C.提供了两个端系统之间的连接与路由选择
D.与物理寻址、网络拓扑结构判断有关
第4题
A.自然环境
B.气候条件
C.土壤条件
D.灌溉水质条件
E.大气环境标准
第5题
A.30、18
B.28、19
C.25、15
D.26、17
第6题
A.体积
B.面积
C.质量
D.速度
第7题
B.对于普通场景,当小区关闭了DRX特性,等到下一次RRC连接重配时,gNodeB会在RRC连接重配置过程中指示UE退出DRX工作模式
C.对于载波聚合场景,当且仅当UE的PCell和SCell小区同时关闭了DRX特性,等到下一次RRC连接重配时,gNodeB会在RRC连接重配置过程中指示UE退出DRX工作模式
D.UE新建立了未开启DRX特性的无线承载