题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
短沟道器件的阈值电压往往会随时间漂移，这是由于热载流子效应，一般这个效应使NMOS器件的阈值电压（)，使PMOS器件的阈值电压（)。
A.升高;升高
B.降低;升高
C.降低;降低
D.升高;降低
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题目内容
（请给出正确答案）
A.升高;升高
B.降低;升高
C.降低;降低
D.升高;降低
答案
更多“短沟道器件的阈值电压往往会随时间漂移，这是由于热载流子效应，一般这个效应使NMOS器件的阈值电压()，使PMOS器件的阈值电压()。”相关的问题
第3题
A.半导体表面强反型时的栅极电压称为阈值电压
B.若金属相比半导体的功函数较小，二者功函数之差越大时，n沟增强型MOSFET的开启电压就越小
C.衬底掺杂浓度越高，沟道越容易进入强反型状态
D.氧化层厚度增加，阈值电压增加
第5题
A.漏区和源区的电压降可以忽略不计
B.沿沟道的扩散电流比由电场产生的漂移电流小的多
C.在沟道内载流子的迁移率为常数
D.其他选项都正确
第7题
A.人贵在有目标，但目标可以随着时间进行调整改变
B.人往往会受到各方面的限制，一般长远清晰的目标很少能实现
C.目标贵在坚持，制定目标并向着目标不懈努力，终将有所回报
D.只要有大概的人生目标，安稳随性的生活也很好
