题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
在PN结中由于浓度的差异空穴和电子都要从浓度高的地方向浓度低的地方运动这就是（）。
A.扩散运动
B.漂移运动
C.有序运动
D.同步运动
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题目内容
（请给出正确答案）
A.扩散运动
B.漂移运动
C.有序运动
D.同步运动
答案
更多“在PN结中由于浓度的差异空穴和电子都要从浓度高的地方向浓度低的地方运动这就是（）。”相关的问题
第2题
在室温下，锗的有效态密度NC=1.05x1019cm-3, NV=5. 7x1018cm-3，及Eg=0. 76eV,求温度为300K和500K时，含施主浓度ND=5x1015cm-3，受主浓度NA=2x 109cm-3,的锗中电子及空穴浓度为多少？
第3题
A.在异质pn结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
B.在异质pn结中，由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度
C.在异质pn结中，宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中，其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
D.在异质pn结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
第5题
A.异质 pn 结的高注入特性是区别同质 pn 结的主要特点之一
B.决定同质pn结注入比的是掺杂浓度，要想获得大的注入比就要求
C.决定异质pn结注入比的是 ，通常可获得较大的注入比
D.同质pn结具有比异质pn结更大的注入比
第7题
B、半导体处于热平衡状态时，整个材料具有统一的费米能级
C、半导体处于热平衡状态时，载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡
D、在外界作用下，半导体中额外产生了载流子，即非平衡载流子，半导体进入非平衡状态
E、在外界作用下，如果载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡，载流子浓度具有确定的值，此时半导体为热平衡态
F、在外界作用下，稳定时，载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡，载流子浓度具有确定的值，但此时半导体为非平衡态
G、半导体处于非平衡态时，整个材料不具有统一的费米能级
H、半导体处于非平衡态时，导带电子的分布用导带准费米能级表征，价带空穴的分布用价带准费米能级表征
第8题
A.迁移率是单位电场强度下载流子的平均漂移速度的绝对值
B.迁移率反应载流子在电场中漂移运动的难易程度
C.电子的迁移率为正
D.电子的迁移率大于空穴的迁移率
E.电子的迁移率为负，空穴的迁移率为正
F.电子的迁移率小于空穴的迁移率G、电子的迁移率等于空穴的迁移率
第9题
A.空穴运动的本质是受共价键束缚的电子在共价键的等价位置间的运动
B.空穴常出现在价带顶
C.空穴的有效质量为正
D.空穴常出现在导带底部
E.空穴的有效质量为负
第10题
A.若电离杂质散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而增大
B.若晶格振动散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而减小
C.若温度确定，杂质浓度增大时，电子与空穴的多子、少子迁移率都单调下降
D.若电离杂质散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而减小
E.若晶格振动散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而增大
F.杂质浓度较高时，电子的多子和少子迁移率趋近于相同的值
第11题
A.燃烧
B.爆炸
C.中毒
