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[主观题]

硅在高炉内的还原顺序是按SiO2→__________→逐级进行的。

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发布时间：2021-12-20

更多“硅在高炉内的还原顺序是按SiO2→__________→逐级进行的。”相关的问题

第1题

比较Fe2O3、MnO2、SiO2在高炉内还原过程之异同。

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第2题

关于高炉内Si的还原表达错误的选项是（）。

A.Si的还原在高炉中只能以直接还原的方式进行

B.提高炉温有利于Si的还原

C.提高炉渣碱度有利于Si的还原

D.高压操作利于冶炼低硅生铁

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第3题

减少高炉内硅的还原措施有()。

A.增加MgO含量

B.减少滴落带高度

C.降低软熔带位置

D.强化冶炼

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第4题

根据高炉解剖研究表明：硅在炉腰或炉腹上部才开始间接还原，达到（）时还原出的硅含量达到最高值。

A.风口

B.滴落带

C.铁口

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第5题

硅的还原反应速度与温度、反应接触面积及时间和SiO2的气相分压等有关。（)

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第6题

降硅的措施有()

降硅的措施有（)

A.提高炉渣碱度

B.减少炉渣中SiO2的数量

C.提高高炉下部温度

D.降低高炉下部温度

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第7题

降低生铁含硅的措施有()

降低生铁含硅的措施有（)

A.提高炉渣碱度

B.减少炉渣中SiO2的数量

C.提高高炉下部温度

D.降低高炉下部温度

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第8题

根据高炉解剖研究表明：硅在()才开始还原

根据高炉解剖研究表明：硅在（)才开始还原

A.炉腰

B.炉腹上部炉

C.炉腹

D.风口

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第9题

高炉内按温度区间和还原的主要反应划分，≤（）为间接还原区。

A.750℃

B.800℃

C.850℃

D.900℃

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第10题

高炉内按温度区间和还原的主要反应划分，≥（）为直接还原区。

A.1000℃

B.1050℃

C.1100℃

D.1150℃

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